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華瀾微亮相2020全球閃存峰會
2020年7月30日 剛剛過去的2020年6月，美國權威科技媒體CIO Review評選了在HPC(High Performance Computing高性能計算)領域最富有潛力的20大企業(yè)，兩家中國企業(yè)入列,它們是“華瀾微電子”(SageMicro)和瀾起科技（Montage）。 本次峰會特別邀請了華瀾微董事長、杭州電子科技大學微電子研究中心主任駱建軍教授就存儲控制器發(fā)展趨勢發(fā)表《固態(tài)硬盤控制器芯片關鍵技術發(fā)展簡析》的主題演講。
固態(tài)存儲控制器的發(fā)展挑戰(zhàn)上，遇到的問題包括： 1. 數據量的爆發(fā)式增長用戶在有限體積下的更大容量存儲的需求； 2. 高性能計算和人工智能（AI）等應用對數據讀寫速度的需求； 3. 對存儲系統(tǒng)可靠性要求不斷提高，但閃存技術不斷發(fā)展帶來的可靠性降低，是閃存控制器技術發(fā)展的矛盾和挑戰(zhàn)； 4. 數據高安全性防護，要求存儲控制器提供片上集成的高效加/解密功能，成為剛需。 針對這些市場需求和技術演進，駱總分別做了全面的詮釋： 一是在底層架構方面，華瀾微很早就擁有了異構多核SoC架構的存儲控制器的中國與美國相應專利，該架構通過多核間的進程協調、總線競爭、多任務和分布式管理技術，解決了存儲傳輸速度、緩存、全局映射、閃存通道速度的高效平衡等問題。華瀾微已在此基礎上實現了更小面積存儲控制器上實現更大容量存儲應用，研制成功多顆存儲控制器，在全球發(fā)展了眾多用戶，產品得到了批量規(guī)?；瘧?；
二是在閃存控制器內部實現了特色的eRAID?技術，通過eRAID? 技術不僅解決了速度問題，還解決了數據存儲可靠性問題；此外，映射表的“復眼“保護技術，也是很好針對數據存儲高可靠性的解決方案； 三是通過全球首創(chuàng)性引入MRAM介質，來解決多年來沒有解決的老問題，即因為異常掉電引起的DRAM緩存數據可靠性問題，華瀾微在MRAM介質上的創(chuàng)新應用，徹底解決了存儲產品的掉電可靠性問題和性能問題的矛盾，為全球存儲控制器研發(fā)廠商打開了解決掉電保護問題、提高產品速度的另一扇門； 四是進一步提高閃存糾錯算法技術，閃存介質技術從原有的2D工藝發(fā)展到3D，層數堆疊越來越高，從32層發(fā)展到目前的92層，96層，128層……，從SLC到MLC、TLC、QLC、PLC……，糾錯算法也從原來的BCH發(fā)展到了LDPC，但這并不能滿足存儲速度的不斷發(fā)展和閃存技術發(fā)展之間帶來的矛盾，華瀾微通過研發(fā)新的糾錯算法，將更好的解決閃存糾錯問題，突破存儲速度瓶頸； 五是通過在存儲控制器上實現主動防衛(wèi)技術和數據加解密引擎技術，在不占用主機CPU的計算和內存資源的前提下，即可實現對傳統(tǒng)病毒檢測和木馬侵襲的防護，防止對存儲數據的非法讀寫，解決存儲數據泄密問題；也可以提供基本的邊緣計算功能。 六是在存儲控制器發(fā)展中，需要在更好解決高速串行接口協議層技術方面的難題，只有從更底層去解決這一基礎問題，存儲控制器才能發(fā)展的更好。這個方面國內一些廠家缺少包括接口物理層和協議層的IP積累，依賴于海外授權。華瀾微積累了全系列從USB、SATA、PCIE的IP核，可以和大家分享這些方面的成果，攜手共贏。 駱總在總結中提到，存儲控制器技術是大數據、云存儲技術的硬科技和基礎，是徹底解決存儲卡脖子技術難題的重要環(huán)節(jié)，存儲控制器技術需要多年持之以恒的技術積累，更需要存儲產業(yè)界不斷的推動和應用，華瀾微有幸被“CIO Review“評為2019年度和本年度HPC（High Performance Computing高性能計算）的國內代表企業(yè)。華瀾微希望在應用大潮中能與眾多國內外優(yōu)秀同行業(yè)一起前進，能有更多的國內同行能夠和華瀾微并肩作戰(zhàn)，實現更好的中國存儲美好未來。
此外，華瀾微技術市場副總裁廖安仁先生作為“控制芯片閃存論壇”特邀出品人領銜豪華嘉賓陣容也出席了本次會議。
廖安仁副總裁作為“控制芯片閃存論壇”的特邀出品人，分別從固態(tài)存儲接口帶寬、閃存顆粒容量、應用端這三個角度闡述了閃存芯片的發(fā)展。他認為在大數據時代，因人類需求而生的應用越來越復雜，對計算的需求越來越多，帶來存儲產業(yè)有無限的驅動力和無限想象的閃存趨勢。同時他也邀請了三位全球主流的閃存控制器芯片供應商，分別從不同的技術角度，就閃存芯片的現況分析及閃存的發(fā)展趨勢預測進行了分享，并受到現場網友的廣泛關注和認同。
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